加速电压：0.5–30 kV，可在 0.1 kV 步长下连续调节，支持低电压模式（如 100–500 V）以减少非导电样品的荷电效应。

束流强度：1 pA–2 nA，满足高分辨成像与高灵敏度成分分析需求。

分辨率：

二次电子像（SEI）：1.0 nm（15 kV，工作距离 4 mm）；

低电压下表现优异：1.4 nm（1 kV，减速模式），2.0 nm（1 kV，正常模式）；

背散射电子像（BSEI）：通过 E×B 探测器实现 Z 衬度成像，适用于成分差异分析。

探测器与信号采集

二次电子探测器（SE）：

高位 SE 探测器（SE (U)）：接收表面形貌信息，分辨率高，适用于高分辨成像。

低位 SE 探测器（SE (L)）：增强立体感，适用于观察凹凸结构。

背散射电子探测器（BSE）：

低角 BSE（LA-BSE）：突出成分差异，适用于多相材料分析。

高角 BSE（HA-BSE）：提供结晶学衬度，用于晶粒取向研究。

E×B 技术：通过电场与磁场分离二次电子与背散射电子，可选择性接收单纯 SE、混合 SE+BSE 或纯 BSE 信号，优化图像对比度。

能谱仪（EDS）：

探测器活区面积：10–30 mm²（不同配置），能量分辨率≤129 eV（Mn Kα），元素分析范围 Be⁴–U⁹²。

支持定点、线扫描和面分布分析，配备电制冷系统以提高稳定性。